科技的發(fā)展日新月異,在當下的集成電路生產(chǎn)工藝中使用的一些結(jié)構(gòu)尺寸,通常達到了納米量級,不能有任何其他物質(zhì)對其產(chǎn)生干擾,哪怕是最微小的塵埃顆粒,甚至是氣體分子。此時就需要用到真空泵真空環(huán)境將其他雜質(zhì)清除干凈。
如今,如果沒有集成電路(也稱微芯片),我們幾乎就寸步難行。從汽車和生產(chǎn)工廠,到智能手機,甚至到咖啡機,這些場景下集成電路無處不在。正是有了它們的存在,我們現(xiàn)在才可以只需輕觸一下按鈕或輕掃一下屏幕,即可實現(xiàn)眾多功能。在此背后,是各個極小單元的強大計算能力。芯片制造商目前主要使用 14 納米技術,這意味著最小的功能單元尺寸只有 14 納米。相比之下,一根針頭的直徑約為 100 萬納米。
其如此小的尺寸下,一粒塵埃無異于一塊巨石。因此,集成電路的生產(chǎn)必須在經(jīng)過空氣過濾的潔凈室中進行,人員和物品只能在進行徹底清潔后通過一間氣閘室進入。真空泵也用于后者,以通過負壓吸走表面的灰塵顆粒。
潔凈室本身存在輕微超壓,這意味著即使發(fā)生泄漏,任何東西都無法進入。潔凈室所需的恒定氣流從上方供應。相應的萃取裝置位于潔凈室的夾層樓板中。作為芯片基本材料的硅晶片,在各個制造步驟過程中都會使用真空夾持裝置(卡盤)予以固定,以保護材料。
前面我們講的都是粗真空。但對于制造極其微小的結(jié)構(gòu),則需要高真空,例如,利用高真空使金屬沉積到硅晶片上。一方面,所用金屬沸點相對較低。另一方面,即使是最小的夾雜物,甚至是空氣氣體分子,也會損害薄片層的導電性。離子注入也是如此,在此工藝中,離子在電場中加速運動,被引導到晶片上并置于晶格中。
沒有真空,EUV 光刻也就無從實現(xiàn)。作為相對較新的工藝,EUV 光刻使用波長非常短的極紫外光來顯示晶片上特別小的結(jié)構(gòu)。EUV 光傳播幾毫米后就會被空氣完全吸收。只有在真空度非常高時,它才能暢通無阻地傳播。此技術和類似方法是很多芯片技術發(fā)展的先決條件,例如,讓我們的智能手機變得越來越薄,同時提供不斷增強的性能,如果沒有高真空度的輔助,都是不可能實現(xiàn)的。
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